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設(shè)備性能 |
||
1 |
UPH |
300-400 片/H |
2 |
視野范圍 |
160*160 mm |
3 |
晶粒尺寸 |
有背鍍晶?!?span>3*3mil; 無背鍍晶粒電極≥Φ50um; 正鍍晶粒電極≥Φ50um。 |
4 |
晶粒間距 |
≥40um |
5 |
計(jì)數(shù)誤差 (@3σ) |
有背鍍晶?!堋?span>0.01%; 無背鍍晶粒電極≤±0.03%; 正鍍晶粒電極≤±0.05%。 |
6 |
離型紙 |
無需去除離型紙 |
7 |
單次上料晶圓數(shù)量 |
≤500片 |
系統(tǒng)功能 |
||
1 |
識(shí)別模式 |
blob分析模式; 圖形匹配模式。 |
2 |
條碼識(shí)別 |
支持1D/2D code讀取 |
3 |
MES功能 |
定制化接入MES系統(tǒng) |
4 |
異常晶???/span> |
卡控散晶(稀疏晶粒); 卡控雙胞或者粘連晶粒; 卡控晶粒殘缺 |
5 |
計(jì)數(shù)結(jié)果保存 |
計(jì)數(shù)結(jié)果自動(dòng)保存EXCEL文檔; 圖像截屏存檔文件; BinID命名文件。 |
6 |
標(biāo)簽 |
自動(dòng)打印、貼附及回卷。 |
7 |
計(jì)數(shù)系統(tǒng) |
DiphoV20.12.12(64位版) |
設(shè)備性能 |
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1 |
UPH |
300-400 片/H |
2 |
視野范圍 |
160*160 mm |
3 |
晶粒尺寸 |
有背鍍晶?!?span>3*3mil; 無背鍍晶粒電極≥Φ50um; 正鍍晶粒電極≥Φ50um。 |
4 |
晶粒間距 |
≥40um |
5 |
計(jì)數(shù)誤差 (@3σ) |
有背鍍晶?!堋?span>0.01%; 無背鍍晶粒電極≤±0.03%; 正鍍晶粒電極≤±0.05%。 |
6 |
離型紙 |
無需去除離型紙 |
7 |
單次上料晶圓數(shù)量 |
≤500片 |
系統(tǒng)功能 |
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1 |
識(shí)別模式 |
blob分析模式; 圖形匹配模式。 |
2 |
條碼識(shí)別 |
支持1D/2D code讀取 |
3 |
MES功能 |
定制化接入MES系統(tǒng) |
4 |
異常晶???/span> |
卡控散晶(稀疏晶粒); 卡控雙胞或者粘連晶粒; 卡控晶粒殘缺 |
5 |
計(jì)數(shù)結(jié)果保存 |
計(jì)數(shù)結(jié)果自動(dòng)保存EXCEL文檔; 圖像截屏存檔文件; BinID命名文件。 |
6 |
標(biāo)簽 |
自動(dòng)打印、貼附及回卷。 |
7 |
計(jì)數(shù)系統(tǒng) |
DiphoV20.12.12(64位版) |