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設(shè)備性能 |
||
|
1 |
UPH |
300-400 片/H |
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2 |
視野范圍 |
160*160 mm |
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3 |
晶粒尺寸 |
有背鍍晶?！?span>2*2mil； 無背鍍晶粒電極≥Φ20um； 正鍍晶粒電極≥Φ35um。 |
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4 |
晶粒間距 |
≥20um |
|
5 |
計數(shù)誤差 (@3σ) |
有背鍍晶粒≤±0.01%； 無背鍍晶粒電極≤±0.03%； 正鍍晶粒電極≤±0.05%。 |
|
6 |
離型紙 |
無需去除離型紙； 離型紙規(guī)格190*190-220*220mm |
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7 |
單次上料晶圓數(shù)量 |
≤500片 |
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設(shè)備性能 |
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1 |
UPH |
300-400 片/H |
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2 |
視野范圍 |
160*160 mm |
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3 |
晶粒尺寸 |
有背鍍晶粒≥2*2mil； 無背鍍晶粒電極≥Φ20um； 正鍍晶粒電極≥Φ35um。 |
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4 |
晶粒間距 |
≥20um |
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5 |
計數(shù)誤差 (@3σ) |
有背鍍晶?！堋?span>0.01%； 無背鍍晶粒電極≤±0.03%； 正鍍晶粒電極≤±0.05%。 |
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6 |
離型紙 |
無需去除離型紙； 離型紙規(guī)格190*190-220*220mm |
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7 |
單次上料晶圓數(shù)量 |
≤500片 |
